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2SD1037

更新时间： 2024-10-15 06:26:15

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	57K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1037 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SD1037

DESCRIPTION

·With MT-200 package

·Excellent safe operating area

·High current capability

APPLICATIONS

·For electrical supply ,DC-DC

converters and low frequency

power amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

150

UNIT

Open base

120

Open collector

P_C

Collectorl power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

180

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

JMnic

12 3

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