2SD1044P

更新时间： 2024-10-15 13:04:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	98K
描述
Transistor

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2SD1044P 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD1044P 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD1044

DESCRIPTION

·High DC Current Gain

: h_FE= 700(Min.)@ I_C= 1A, V_CE= 4V

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_{(BR) CEO}= 80V(Min)

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for high power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CER

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

100

Collector Current-Continuous

Base Current- Continuous

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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