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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MPAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.075 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 9 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.7 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 9000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5773 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF wide band amplifier |
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| 2SC5773 | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF wide band amplifier |
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| 2SC5773JR-TL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF wide band amplifier |
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| 2SC5774 | SANYO |
获取价格 |
140V / 10A, AF70W Output Applications |
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| 2SC5775 | SANYO |
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PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
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| 2SC5776 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications |
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| 2SC5777 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications |
|
| 2SC5778 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications |
|
| 2SC5779 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planar type |
|
| 2SC5781 | SANYO |
获取价格 |
High-Frequency Low-Noise Amplifier and OSC Applications |
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