2SC5773

更新时间： 2024-01-22 15:33:58

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瑞萨 - RENESAS		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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11页	138K
描述
Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF wide band amplifier

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2SC5773 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-59A
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	基于收集器的最大容量：	1.8 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	80	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10800 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5773 数据手册

2SC5773

Silicon NPN Epitaxial

UHF / VHF wide band amplifier

REJ03G0756-0300

Rev.3.00

May 09, 2006

Features

•

High gain bandwidth product

f_T= 10.8 GHz typ.

•

High power gain and low noise figure ;

PG = 11.9 dB typ., NF = 1.1 dB typ. at f = 900 MHz

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Note: Marking is “JR-”.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

1.5

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

700*

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

* When using aluminum ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)

This data sheet contains tentative specification for new product development. It may partially be subject to change

without notice.

Rev.3.00 May 09, 2006 page 1 of 10

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