Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5761-T2FB

2SC5761-T2FB

更新时间： 2024-02-19 17:35:13

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
14页	82K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, M04, THIN, SUPERMINI MINIMOLD PACKAGE-4

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2SC5761-T2FB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	M04, THIN, SUPERMINI MINIMOLD PACKAGE-4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.035 A	基于收集器的最大容量：	0.22 pF
集电极-发射极最大电压：	2.3 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F4
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM	标称过渡频率 (fT)：	60000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5761-T2FB 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

2SC5761

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)

FEATURES

•

Ideal for low noise high-gain amplification

NF = 0.9 dB TYP. @ V^CE= 2 V, I^C= 5 mA, f = 2 GHz

•

Maximum stable power gain: MSG = 20.0 dB TYP. @ V^CE= 2 V, I^C= 20 mA, f = 2 GHz

SiGe technology (f^T= 60 GHz, f^max= 60 GHz)

Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Supplying Form

2SC5761

50 pcs (Non reel)

3 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Emitter), Pin 2 (Collector) face the perforation side of the tape

2SC5761-T2

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

8.0

2.3

1.2

°C

Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^tot

T^j

150

−65 to +150

T^stg

Note Mounted on 1.08 cm²× 1.0 mm (t) glass epoxy substrate

THERMAL RESISTANCE

Parameter

Symbol

R^{th (j-c)}

Value

150

Unit

°C/W

Junction to Case Resistance

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10212EJ02V0DS (2nd edition)

Date Published May 2003 CP(K)

The mark ! shows major revised points.

Printed in Japan

NEC Compound Semiconductor Devices 2001, 2003

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5761-T2-FB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5761-T2FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN
2SC5763	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC5763	SANYO	获取价格	Switching Regulator Applications
2SC5763M	SANYO	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-220AB
2SC5763N	SANYO	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-220AB
2SC5764	SANYO	获取价格	Switching Regulator Applications
2SC5764	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC5764M	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-220ML
2SC5764N	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-220ML

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