2SC5763

更新时间： 2024-02-12 21:47:14

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
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2页	236K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC5763 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.42	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	55 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	17 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5763 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

2SC5763

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 400V(Min)

·Fast Switching Speed

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for switching regulators applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

700

400

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Total Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.75

P_C

Total Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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