2SC5765

更新时间： 2024-09-22 21:55:19

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东芝 - TOSHIBA		晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器
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描述
MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS STOROBO FLASH APPLICATIONS

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2SC5765 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	2-4E1A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.52	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	170
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC5765 数据手册

2SC5765

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type

2SC5765

MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS

STOROBO FLASH APPLICATIONS

Unit: mm

Low Saturation Voltage: V

= 0.27 V (max.)

CE (sat) (1)

(I = 3 A/I = 60 mA)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

CBO

CEO

EBO

Collector current

Pulsed

Collector power dissipation

Junction temperature

(Note1)

550

°C

150

JEDEC

―

Storage temperature range

-55 to 150

°C

stg

JEITA

Note 1: When a device is mounted on a glass epoxy board

(35 mm ´ 30 mm ´ 1mm)

TOSHIBA

Weight: 0.13 g

2-4E1A

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector cut-off current

Symbol

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Unit

= 15 V, I = 0

0.1

CBO

Emitter cut-off current

= 5 V, I = 0

EBO

Collector-Emitter breakdown voltage

= 1 mA, I = 0

(BR)CEO

(Note2) V = 1.5 V, I = 0.5 A

450

320

170

700

FE(1)

FE(2)

FE(3)

DC current gain

(Note2) V = 1.5 V, I = 2 A

(Note2) V = 1.5 V, I = 5 A

CE (sat)

Collector-Emitter saturation voltage

= 3 A, I = 60 mA

0.27

(Note2)

Collector-Output Capacitance

Note 2: Pulse test

= 10 V, I = 0, f = 1 MHz

2002-01-16

12 3 4

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