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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.16 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.85 pF | 集电极-发射极最大电压： | 5.5 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 5500 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5746(NE819M13) | ETC |
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Discrete |
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| 2SC5746-FB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M |
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| 2SC5746-FB-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M |
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| 2SC5746-T3 | NEC |
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NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE 3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD |
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| 2SC5746-T3 | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5746-T3FB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M |
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| 2SC5746-T3-FB | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5746-T3FB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M |
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| 2SC5748 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type |
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| 2SC5750 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-343R |
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