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2SC5751-T2FB-A

更新时间： 2024-01-14 22:43:15

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	79K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4

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2SC5751-T2FB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	0.5 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5751-T2FB-A 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TRANSISTOR

2SC5751

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR

MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (30 mW)

FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD

FEATURES

•

Ideal for medium output power amplification

P^{O (1 dB)}= 15.0 dBm TYP. @ V^CE= 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pⁱⁿ= 1 dBm

HFT3 technology (f^T= 12 GHz) adopted

High reliability through use of gold electrodes

Flat-lead 4-pin thin-type super minimold package

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Supplying Form

2SC5751

50 pcs (Non reel)

3 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Emitter), Pin 2 (Collector) face the perforation side of the tape

2SC5751-T2

Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.

Unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

9.0

6.0

2.0

°C

tot ^Note

205

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

T^stg

−65 to +150

Note Mounted on 1.08 cm²× 1.0 mm (t) glass epoxy PCB

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P15657EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published August 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

2001

12 3 4 5 6 7...16

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与2SC5751-T2FB-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5752	NEC	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW) 4-PIN SUPER MINIMO
2SC5752	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
2SC5752(NE67818)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5752FB	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
2SC5752-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, S
2SC5752-FB-A	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5752-T1	NEC	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW) 4-PIN SUPER MINIMO
2SC5752-T1	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
2SC5752-T1-A	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SC5752-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, S

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