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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC5738
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2SC5738

更新时间： 2024-01-10 08:14:45
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体转换器开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 119K
描述
High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications

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2SC5738 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.53
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：3.5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SC5738 数据手册

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2SC5738  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type  
2SC5738  
High-Speed Switching Applications  
DC-DC Converter Applications  
Industrial Applications  
Unit: mm  
·
·
·
High DC current gain: h  
= 400 to 1000 (I = 0.5 A)  
C
FE  
Low collector-emitter saturation voltage: V  
= 0.15 V (max)  
CE (sat)  
High-speed switching: t = 90 ns (typ.)  
f
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
40  
30  
V
V
V
V
CBO  
V
CEX  
CEO  
EBO  
V
V
20  
7
DC  
Collector current  
Pulse  
I
3.5  
C
A
I
6.0  
CP  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Base current  
I
350  
mA  
mW  
B
DC  
P
625  
C
Collector power  
dissipation  
(Note)  
TOSHIBA  
2-3S1A  
t = 10 s  
1000  
150  
Junction temperature  
T
°C  
°C  
j
Weight: 0.01 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
-55 to 150  
stg  
Note: Mounted on FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:  
645 mm2)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector cut-off current  
Symbol  
Test Condition  
= 40 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
¾
¾
¾
¾
100  
100  
¾
nA  
nA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= 7 V, I = 0  
C
EBO  
(BR) CEO  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
I
= 10 mA, I = 0  
20  
400  
200  
¾
¾
C
B
h
h
(1)  
(2)  
V
V
= 2 V, I = 0.5 A  
¾
1000  
¾
FE  
CE  
CE  
C
DC current gain  
= 2 V, I = 1.6 A  
¾
FE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Collector output capacitance  
Rise time  
V
I
I
= 1.6 A, I = 32 mA  
¾
0.15  
1.10  
¾
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
B
V
= 1.6 A, I = 32 mA  
¾
¾
B
C
V
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
¾
18  
100  
350  
90  
pF  
ob  
CB  
E
t
¾
¾
See Figure 1 circuit diagram.  
r
~
-
Switching time  
V
I
12 V, R = 7.5 W  
ns  
Storage time  
Fall time  
t
¾
¾
CC  
L
stg  
= -I = 53 mA  
t
f
¾
¾
B1  
B2  
1
2001-12-17  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5738(TE85L) TOSHIBA

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