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2SC5557

更新时间： 2024-01-23 11:15:38

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松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	183K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SSSMINI3-F1, 3 PIN

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技术参数
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2SC5557 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.9 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5557 数据手册

Transistor

2SC5557

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

+0.05

–0.02

+0.05

0.33

0.10

–0.02

For low-noise RF amplifier

I Features

• High transition frequency f_T

• High gain of 8.2 dB and low noise of 1.8 dB at 3 V

• Optimum for RF amplification of a portable telephone and pager

+0.05

0.23

–0.02

(0.40)(0.40)

0.80 ^0.05

1.20 0.05

5˚

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

1: Base

2: Emitter

3: Collector

°C

SSSMini3-F1 Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

100

T_j

125

Marking symbol: 5A

T_stg

−55 to +125

I Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Forward current transfer ratio

Forward transfer gain

Noise figure

Symbol

I_CBO

I_EBO

h_FE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA



V_CB= 9 V, I_E= 0

V_EB= 1 V, I_C= 0

V_CE= 3 V, I_C= 10 mA

100

7.0

160

S_21e²

V_CE= 3 V, I_C= 10 mA, f = 2 GHz

V_CE= 3 V, I_C= 3 mA, f = 1.5 GHz

V_CB= 3 V, I_E= 0, f = 1 MHz

V_CE= 3 V, I_C= 10 mA, f = 2 GHz

9.0

2.0

4.0

0.9

Collector output capacitance

Gain bandwidth product

C_ob

0.6

f_T

12.5

GHz

Publication date: May 2002

SJD00279AED

12 3

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