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2SC5569

更新时间： 2024-01-11 14:26:33
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三洋 - SANYO 晶体转换器晶体管开关
页数 文件大小 规格书
5页 52K
描述
DC/DC Converter Applications

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2SC5569 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：3.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：330 MHz
Base Number Matches：1

2SC5569 数据手册

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Ordering number:ENN6309A  
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
2SA2016/2SC5569  
DC/DC Converter Applications  
Applications  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes.  
2163  
Features  
[2SA2016/2SC5569]  
4.5  
· Adoption of FBET and MBIT processes.  
· High current capacitance.  
1.5  
1.6  
· Low collector-to-emitter saturation voltage.  
· High-speed switching.  
· Ultrasmall package facilitales miniaturization in end  
products.  
· High allowable power dissipation.  
3
2
1
0.4  
0.5  
0.4  
1.5  
3.0  
1 : Base  
0.75  
2 : Collector  
3 : Emitter  
Specifications  
( ) : 2SA2016  
SANYO : PCP  
(Bottom view)  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
(–50)80  
Unit  
V
V
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
(–)50  
(–)6  
V
V
CEO  
V
EBO  
I
(–)7  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
I
(–)10  
A
CP  
I
(–)1.2  
1.3  
A
B
Mounted on a ceramic board (250mm2×0.8mm)  
W
W
˚C  
˚C  
Collector Dissipation  
P
C
Tc=25˚C  
3.5  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
=(–)40V, I =0  
E
=(–)4V, I =0  
C
=(–)2V, I =(–)500mA  
C
(–)0.1  
(–)0.1  
560  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
EBO  
h
200  
FE  
(290)  
330  
MHz  
MHz  
pF  
Gain-Bandwidth Product  
f
V
=(–)10V, I =(–)500mA  
C
T
CE  
Output Capacitance  
Cob  
V
=(–)10V, f=1MHz  
(50)28  
CB  
Marking : 2SA2016 : AW 2SC5569 : FF  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
52501TS KT TA-3259 No.6309–1/5  
12345

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2SC5569 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC5569 UTC

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