2SC5566-TD-E

更新时间： 2024-02-23 15:24:43

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
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Bipolar Transistor

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2SC5566-TD-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SC-62, TO-243, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	5 weeks	风险等级：	1.06
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-243AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	400 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5566-TD-E 数据手册

Ordering number : EN6307C

2SA2013/2SC5566

Bipolar Transistor

(-)50V, (-)4A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP

http://onsemi.com

Applicaitons

•

Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, ﬂash

Features

•

Adoption of FBET and MBIT processes

Low collector-to-emitter saturation voltage

Large current capacity

High-speed switching

Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products

High allowable power dissipation

( )2SA2013

Speciﬁcations

Absolute Maximum Ratings

at Ta=25°C

Parameter

Collector-to-Base Voltage

Collector-to-Emitter Voltage

Emitter-to-Base Voltage

Symbol

Conditions

Ratings

(-50)100

(--)50

Unit

CBO

CES

CEO

(--)6

EBO

Continued on next page.

Product & Package Information

Package Dimensions

unit : mm (typ)

• Package

: PCP

7007B-004

• JEITA, JEDEC

: SC-62, SOT-89, TO-243

•

Minimum Packing Quantity : 1,000 pcs./reel

Top View

2SA2013-TD-E

2SC5566-TD-E

4.5

1.6

Packing Type: TD

1.5

Marking

0.4

0.5

0.4

1.5

3.0

2SA2013

2SC5566

0.75

Electrical Connection

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

Bottom View

PCP

2SA2013

2SC5566

Semiconductor Components Industries, LLC, 2013

September, 2013

72512 TKIM/62405EA MSIM TB-00001405/52501 TS KT TA-3260 No.6307-1/8

12 3 4 5 6 7 8

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