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2SC5563

更新时间: 2024-01-22 04:13:31
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 84K
描述
NPN TRIPLE KIFFUSED TYPE (DYNAMIC FOCUS APPLICATIONS)

2SC5563 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-67包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.87Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):0.02 A
集电极-发射极最大电压:1500 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

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