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2SC5563_04

更新时间： 2024-02-28 17:04:16
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东芝 - TOSHIBA /
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2页 85K
描述
Dynamic Focus Applications

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2SC5563_04 数据手册

 浏览型号2SC5563_04的Datasheet PDF文件第2页 
2SC5563  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type  
2SC5563  
Dynamic Focus Applications  
Unit: mm  
•
•
High voltage: V = 1500 V  
CEO  
Small collector output capacitance: C = 2.0 pF (typ.) (V  
ob  
= 100 V)  
CB  
Maximum Ratings  
(Tc = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
1500  
V
V
V
1500  
7
DC  
I
20  
C
Collector current  
Base current  
mA  
mA  
W
Pulse  
I
40  
CP  
I
10  
B
Tc = 25°C  
Ta = 25°C  
10  
2
Collector power  
dissipation  
P
C
JEDEC  
JEITA  
―
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
SC-67  
2-10R1A  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
TOSHIBA  
Weight: 1.7 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 1500 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
I
I
V
V
―
―
―
―
―
―
―
―
―
2.0  
1
µA  
µA  
V
CBO  
CB  
E
Emitter cut-off current  
= 7 V, I = 0  
10  
―
EBO  
EB  
C
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
DC current gain  
V
V
I
C
I
C
= 0.1 mA, I = 0  
1500  
1500  
10  
(BR) CBO  
(BR) CEO  
E
= 1 mA, I = 0  
―
V
B
h
V
CE  
= 5 V, I = 1 mA  
60  
5.0  
1.3  
―
FE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Collector output capacitance  
V
I
C
I
C
= 10 mA, I = 2 mA  
―
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
B
V
= 10 mA, I = 2 mA  
―
B
C
ob  
V
CB  
= 100 V, f = 1 MHz, I = 0  
―
pF  
E
Marking  
C5563  
Part No. (or abbreviation code)  
Lot No.  
A line indicates  
lead (Pb)-free package or  
lead (Pb)-free finish.  
1
2004-07-26  
12

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