2SC5556

更新时间： 2024-02-26 17:05:33

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
3页	66K
描述
For UHF Band Low-Noise Amplification

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2SC5556 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-59	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	基于收集器的最大容量：	1.2 pF
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	6000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5556 数据手册

Transistors

2SC5556

Silicon NPN epitaxial planar type

For UHF band low-noise amplification

Unit: mm

+0.10

–0.05

0.40

+0.10

–0.06

0.16

■ Features

• Low noise figure NF

• High transition frequency f_T

• Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing

(0.95) (0.95)

1.9 0.1

+0.20

2.90

–0.05

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

10˚

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-59

Mini3-G1 Package

Collector current

I_C

P_C

T_j

°C

Collector power dissipation ^*

Junction temperature

Storage temperature

300

Marking Symbol: 3K

150

T_stg

−55 to +150

Note)

Copper plate at the collector is more than 1 cm²in area, 1.0 mm in thickness

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

I_EBO

h_FE

Conditions

I_C= 10 µA, I_E= 0

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= 100 µA, I_B= 0

V_CB= 10 V, I_E= 0

µA



V_EB= 2 V, I_C= 0

V_CE= 8 V, I_C= 20 mA

V_CE= 8 V, I_C= 20 mA, f = 800 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

110

250

Transition frequency

f_T

GHz

Collector output capacitance

C_ob

0.9

1.2

(Common base, input open circuited)

Foward transfer gain

Maximum unilateral power gain

Noise figure

S_21e²V_CE= 8 V, I_C= 20 mA, f = 800 MHz

7.5

10.0

11.5

1.7

G_UM

V_CE= 8 V, I_C= 20 mA, f = 800 MHz

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: December 2002

SJC00278BED

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