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2SC5414AF

更新时间： 2024-02-11 15:21:25

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安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
6页	48K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-92

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2SC5414AF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	135
JESD-609代码：	e6	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5414AF 数据手册

2SC5414A

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Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

max

Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

=5V, I =30mA

6.7

GHz

Cob

Cre

=5V, f=1MHz

1.0

1.5

Reverse Transfer Capacitance

Forward Transfer Gain

Noise Figure

0.6

⏐

S21e

=5V, I =30mA, f=1GHz

9.5

⏐

=5V, I =7mA, f=1GHz

1.1

2.0

Package Dimensions

unit : mm (typ)

7522-003

5.0

4.0

0.45

0.5

0.45

0.44

1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

SANYO : NP

1.3

-- V

C BE

100

0.05mA

I =0mA

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

IT13393

IT13392

Collector-to-Emitter Voltage, V

-- V

Base-to-Emitter Voltage, V

-- V

No. A1081-2/6

123 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC5414E	SANYO	BJT	获取价格
2SC5414F	SANYO	BJT	获取价格
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2SC5415A	SANYO	High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications	获取价格
2SC5415A	ONSEMI	RF Transistor 12V, 100mA, fT=6.7GHz, NPN Single PCP	获取价格
2SC5415A_12	SANYO	High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications	获取价格