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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5076Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-221 |
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| 2SC5076-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-8M1A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SC5077 | PANASONIC |
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Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) |
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| 2SC5077A | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) |
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| 2SC5078 | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC5078ZC | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SC5078ZC-TL | HITACHI |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC5078ZC-UL | HITACHI |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC5078ZC-UR | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC5079 | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial |
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