2SC5077

更新时间： 2024-11-23 22:40:03

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Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

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2SC5077 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220E
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	500 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	45 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5077 数据手册

Power Transistors

2SC5077, 2SC5077A

Silicon NPN triple diffusion planar type

For high breakdown voltage high-speed switching

Unit: mm

4.6±0.2

Features

High-speed switching

■

9.9±0.3

2.9±0.2

●

φ3.2±0.1

●

High collector to base voltage V_CBO

●

Wide area of safe operation (ASO)

●

Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h_FE

●

Full-pack package with outstanding insulation, which can be in-

stalled to the heat sink with one screw

2.6±0.1

0.7±0.1

1.2±0.15

1.45±0.15

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

0.75±0.1

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

2.54±0.2

5.08±0.4

Collector to

2SC5077

2SC5077A

2SC5077

800

V_CBO

base voltage

Collector to

900

2 3

7°

800

V_CES

1:Base

2:Collector

3:Emitter

emitter voltage 2SC5077A

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

900

V_CEO

V_EBO

I_CP

500

TO–220E Full Pack Package

I_C

Base current

I_B

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

100

Unit

Collector cutoff

2SC5077

V_CB= 800V, I_E= 0

µA

current

2SC5077A

V_CB= 900V, I_E= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

Emitter cutoff current

I_EBO

V_CEO

h_FE1

h_FE2

µA

Collector to emitter voltage

I_C= 10mA, I_B= 0

500

V_CE= 5V, I_C= 0.1A

V_CE= 5V, I_C= 4A

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 4A, I_B= 0.8A

V_CE= 10V, I_C= 0.5A, f = 1MHz

1.0

1.5

1.0

3.0

0.3

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

MHz

µs

I_C= 4A, I_B1= 0.8A, I_B2= –1.6A,

V_CC= 200V

µs

12 3

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