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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.44 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.75 pF | 集电极-发射极最大电压： | 8 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 13500 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5081ZD-UR | HITACHI |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC5082M | ROHM |
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Transistor |
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| 2SC5082M/L | ROHM |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC5082M/LM | ROHM |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC5082M/M | ROHM |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC5082M/MN | ROHM |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC5082M/MP | ROHM |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC5082M/N | ROHM |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC5082M/NP | ROHM |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC5082MC2/LM | ROHM |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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