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2SC5080ZD-TL

更新时间： 2024-11-24 12:59:27

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	198K
描述
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-4

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2SC5080ZD-TL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	MPAK-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.13
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	0.75 pF	集电极-发射极最大电压：	8 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	13500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5080ZD-TL 数据手册

2SC5080

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G0742-0300

(Previous ADE-208-1132A)

Rev.3.00

Aug.10.2005

Application

VHF / UHF wide band amplifier

Features

•

High gain bandwidth product

f_T= 13.5 GHz Typ

•

High gain, low noise figure

PG = 18 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz

Outline

RENESAS Package code: PLSP0004ZA-A

(Package name: MPAK-4)

1. Collector

2. Emitter

3. Base

4. Emitter

Note:

Marking is “ZD–”.

Attention: This device is very sensitive to electro static discharge.

It is recommended to adopt appropriate cautions when handling this transistor.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

1.5

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

150

Tstg

–55 to +150

°C

Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 7

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