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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF | 集电极-发射极最大电压： | 18 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1500 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4726 | ROHM |
获取价格 |
High-Frequency Amplifier Transistor(11V, 50mA, 3.2GHz) |
|
| 2SC4726_1 | ROHM |
获取价格 |
High-Frequency Amplifier Transistor (11V, 50mA, 3.2GHz) |
|
| 2SC4726_10 | ROHM |
获取价格 |
High-Frequency Amplifier Transistor(11V, 50mA, 3.2GHz) |
|
| 2SC4726H | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 11V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-416 |
|
| 2SC4726HT2LN | ROHM |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| 2SC4726HT2LP | ROHM |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| 2SC4726L | ROHM |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| 2SC4726M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 11V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
|
| 2SC4726N | ROHM |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| 2SC4726P | ROHM |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
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