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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC4726TR/MN
2SC4726TR/MN PDF预览

2SC4726TR/MN

更新时间： 2024-10-27 13:04:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

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2SC4726TR/MN 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：0.8 pF
集电极-发射极最大电压：11 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：39最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3200 MHz
Base Number Matches：1

2SC4726TR/MN 数据手册

 浏览型号2SC4726TR/MN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4726TR/MN的Datasheet PDF文件第3页 
2SC5662 / 2SC4726 /  
2SC4083 /2SC3838K  
Transistors  
High-Frequency Amplifier Transistor  
(11V, 50mA, 3.2GHz)  
2SC5662 / 2SC4726 /  
2SC4083 / 2SC3838K  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) High transition frequency. (Typ. f  
T= 3.2GHz)  
2SC5662  
2) Small rbb’⋅Cc and high gain. (Typ. 4ps)  
1.2  
0.32  
3) Small NF.  
(3)  
( )( )  
1 2  
0.22  
0.13  
0.4 0.4  
0.8  
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
0.5  
zPackaging specifications and hFE  
ROHM : VMT3  
2SC4726  
Type  
2SC4726  
EMT3  
NP  
2SC4083  
UMT3  
NP  
2SC3838K  
SMT3  
NP  
2SC5662  
VMT3  
NP  
Package  
0.7  
1.6  
hFE  
0.55  
0.3  
AD  
AD  
1D  
AD  
Marking  
Code  
( )  
3
T2L  
TL  
T106  
T146  
Basic ordering unit  
(pieces)  
(
)
( )  
1
2
8000  
3000  
3000  
3000  
0.2  
0.2  
0.15  
0.5 0.5  
1.0  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
ROHM : EMT3  
EIAJ : SC-75A  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
2SC4083  
2.0  
0.9  
0.7  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
0.2  
0.3  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
20  
(
)
3
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
11  
V
3
50  
V
I
C
mA  
(
)
2
( )  
1
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
2SC5662, 2SC4726  
2SC4083, 2SC3838K  
0.15  
Collector power  
dissipation  
PC  
W
0.650.65  
1.3  
0.2  
0.15  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
Each lead has same dimensions  
Tstg  
−55 to +150  
2.9  
1.1  
0.8  
2SC3838K  
0.4  
( )  
3
(
)
( )  
1
2
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
0.95 0.95  
1.9  
0.15  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
Each lead has same dimensions  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
20  
11  
3
−
−
−
−
−
−
−
−
−
0.5  
0.5  
0.5  
V
V
I
I
I
C
C
=
=
10µA  
1mA  
V
E
=
10µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
−
−
−
µA  
µA  
V
V
CB  
=
=
10V  
2V  
Emitter cutoff current  
I
V
EB  
Collector-emitter saturation voltage  
V
I
C/I  
B
=
10mA/5mA  
DC current  
transfer ratio  
2SC5662, 2SC4726,  
2SC4083, 2SC3838K  
hFE  
56  
−
180  
−
V
CE/IC = 10V/5mA  
f
T
1.4  
−
−
3.2  
0.8  
4
−
1.5  
12  
−
GHz  
pF  
VCE  
VCB  
VCB  
VCE  
=
10V , I  
10V , I  
10V , I  
E
E
C
= −10mA , f  
=
500MHz  
Transition frequency  
Output capacitance  
Collector-base time constant  
Noise factor  
Cob  
Cc  
NF  
=
=
=
0A , f  
=
1MHz  
r
bb'  
⋅
ps  
=
=
10mA , f  
=
31.8MHz  
−
3.5  
dB  
6V , I  
C
=
2mA , f  
=
500MHz , Rg = 50Ω  
Rev.B  
1/2  
123

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与2SC4726TR/MN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4726TR/MQ ROHM

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4726TR/N ROHM

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4726TR/NP ROHM

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4726TRL ROHM

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 		UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4726TRM ROHM

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 		暂无描述
2SC4726TRN ROHM

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2SC4727R ETC

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