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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.6 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 1 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 6 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 800 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4715 | PANASONIC |
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Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification) |
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| 2SC4715Q | PANASONIC |
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暂无描述 |
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| 2SC4715R | PANASONIC |
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暂无描述 |
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| 2SC4715S | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, NS-B1 |
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| 2SC4715T | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, NS-B1 |
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| 2SC4718 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SC4718C | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SC4718C7 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SC4718C7C | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SC4718C7D | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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