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2SC4715T

更新时间： 2024-10-26 20:54:19

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	69K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, NS-B1, 3 PIN

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2SC4715T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	260	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	160 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4715T 数据手册

Transistors

2SC4715

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-frequency high breakdown voltage amplification

Unit: mm

4.0 0.2

2.0 ^0.2

■ Features

• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• Small collector output capacitance (Common base, input open cir-

cuited) C_ob

0.75 max.

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

+0.20

0.45

Parameter

Symbol

Rating

Unit

–0.10

+0.20

0.45

–0.10

(2.5) (2.5)

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

150

0.7 ^0.1

150

1: Emitter

2: Collector

3: Base

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

°C

NS-B1 Package

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

300

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

150

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= 100 µA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 100 V, I_E= 0

V_CE= 5 V, I_C= 10 mA

µA



h_FE

450

V_CE(sat)I_C= 30 mA, I_B= 3 mA

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −10 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

160

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Noise voltage

V_CE= 10 V, I_C= 1 mA, G_V= 80 dB

R_g= 100 kΩ, Function = FLAT

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

90 ∼ 155

130 ∼ 220

185 ∼ 330

260 ∼ 450

Publication date: February 2003

SJC00167BED

12 3

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