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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220FP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4718C | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SC4718C7 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| 2SC4718C7C | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SC4718C7D | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| 2SC4718C7E | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SC4718D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-186 |
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| 2SC4718E | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SC4719 | ROHM |
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TRANSISTORS TO 92L TO-92LS MRT |
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| 2SC4719/P | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO |
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| 2SC4719/PQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO |
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