2SC4617-R

更新时间： 2024-11-14 07:31:03

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管光电二极管
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描述
NPN General Purpose Transistors

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2SC4617-R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	180 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4617-R 数据手册

M C C

2SC4617-Q

2SC4617-R

2SC4617-S

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

NPN

General Purpose

Transistors

•

Complement to 2SA1774-Q/R/S

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Dissipation

Rating

150

Unit

SOT-523

P_C

T_J

150

-55 to +150

Operating Junction Temperature

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

V_(BR)CEO

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=1mAdc, I_B=0)

Min

Typ

Max

Units

---

Vdc

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=50uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_E=50uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=60Vdc, I_E=0Vdc)

Emitter Cutoff Current

---

Vdc

---

120

---

0.1

560

0.4

---

IAdc

---

I_EBO

---

(V_EB=7Vdc, I_C=0Vdc)

DC Current Gain

h_FE

---

(I_C=1mAdc, V_CE=6Vdc)

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=50mAdc, I_B=5mAdc)

Transition Frequency

(V_CE=12Vdc, I_C=2mAdc, f=100MHz)

Output Capacitance

---

Vdc

DIMENSIONS

f_T

180

2.0

MHz

INCHES

MAX

.067

DIM

MIN

.059

.030

.057

MIN

1.50

0.75

1.45

MAX

1.70

0.85

1.75

NOTE

C_ob

3.5

(V_CB=12Vdc, f=1.0MHz, I_E=0)

.033

.069

Classification OF h^FE

.020 Nominal

0.50Nominal

0.90

Rank

Range

Marking

120-270

.035

.043

.004

.031

.008

.014

1.10

180-390

270-560

.000

.028

.004

.010

.000

.70

.100

0.80

.200

.35

.100

.25

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC4617RL-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
2SC4617-R-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC4617-R-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SC4617S	UTC	获取价格	NPN General Purpose Transistors
2SC4617S	ROHM	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| SOT-323
2SC4617-S	MCC	获取价格	NPN General Purpose Transistors
2SC4617-S	YANGJIE	获取价格	SOT-523

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