2SC4617S

更新时间： 2024-11-14 04:26:03

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4页	88K
描述
NPN General Purpose Transistors

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2SC4617S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.54	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	270	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2SC4617S 数据手册

2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 /

2SC5658 / 2SC1740S

Transistors

General purpose transistor (50V, 0.15A)

2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658 /

2SC1740S

zDimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low Cob.

2SC2412K

2SC4081

2SC4617

Cob=2.0pF (Typ.)

(

)

2) Complements the 2SA1037AK /

2SA1576A / 2SA1774H /

2SA2029 / 2SA933AS.

(

)

(

)

1.25

2.1

0.8

1.6

2.8

0.1Min.

0.3Min.

zStructure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

Each lead has same dimensions

ROHM : UMT3

EIAJ : SC-70

(1) Emitter

(2) Base

ROHM : EMT3

EIAJ : SC-75A

(1) Emitter

(2) Base

ROHM : SMT3

EIAJ : SC-59

(1) Emitter

(2) Base

JEDEC : SOT-323

(3) Collector

JEDEC : SOT-416

(3) Collector

JEDEC : SOT-346

(3) Collector

Abbreviated symbol: B*

2SC5658

2SC1740S

4±

0.2

2±0.2

1.2

0.2 0.8 0.2

(

)

(3)

(

)

+0.15

0.45

−

0.05

0.15Max.

+0.15

+0.4

0.45

−0.05

2.5

0.5

−

0.1

(1) (2) (3)

(1) Base

(1) Emitter

ROHM : VMT3

(2) Emitter

(3) Collector

ROHM

EIAJ

SPT

(2) Collector

(3) Base

SC-72

Abbreviated symbol: B*

* Denotes hFE

zAbsolute maximum (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

0.15

0.2

2SC2412K, 2SC4081

Collector power

2SC4617, 2SC5658

dissipation

0.15

0.3

2SC1740S

Junction temperature

150

°C

Storage temperature

Tstg

−55 to +150

Rev.A

1/3

12 3 4

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