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2SC4617TLR

更新时间： 2024-11-14 12:27:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 109K
描述
General purpose transistor (50V, 0.15A)

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2SC4617TLR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-75A
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：0.81外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.15 A基于收集器的最大容量：3.5 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

2SC4617TLR 数据手册

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General purpose transistor (50V, 0.15A)  
2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1. Low Cob. Cob=2.0pF (Typ.)Cob=2.0pF (Typ.)  
2. Complements the 2SA1037AK / 2SA1576A /  
2SA1774H / 2SA2029.  
2SC2412K  
2SC4081  
1.25  
2.1  
1.6  
2.8  
Structure  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
0.1Min.  
0.3Min.  
Each lead has same dimensions  
Each lead has same dimensions  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
(1) Emitter  
(2) Base  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
(1) Emitter  
(2) Base  
JEDEC : SOT-323  
(3) Collector  
JEDEC : SOT-346  
(3) Collector  
Abbreviated symbol: B*  
Abbreviated symbol: B*  
2SC4617  
2SC5658  
1.2  
0.2 0.8 0.2  
( )  
1
( )  
2
( )  
3
( )  
2
(3)  
0.8  
1.6  
( )  
1
0.15Max.  
0.1Min.  
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
ROHM : EMT3  
EIAJ : SC-75A  
(1) Emitter  
(2) Base  
ROHM : VMT3  
JEDEC : SOT-416  
(3) Collector  
Abbreviated symbol: B*  
Abbreviated symbol: B*  
* Denotes hFE  
Absolute maximum (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
50  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
7
V
I
C
0.15  
0.2  
A
2SC2412K, 2SC4081  
2SC4617, 2SC5658  
Collector power  
dissipation  
PC  
W
0.15  
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
60  
50  
7
V
V
I
I
I
C
=50μA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
−
C=1mA  
−
−
V
E=50μA  
I
CBO  
EBO  
FE  
CE(sat)  
−
−
0.1  
0.1  
390  
0.4  
−
μA  
μA  
−
V
CB=60V  
I
−
−
Emitter cutoff current  
V
EB=7V  
CE=6V, I  
/I =50mA/5mA  
h
120  
−
−
V
C
=1mA  
DC current transfer ratio  
V
−
V
I
C B  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
f
T
−
180  
2
MHz  
pF  
V
CE=12V, I  
CE=12V, I  
E=−2mA, f=100MHz  
Cob  
−
3.5  
V
E=0A, f=1MHz  
Output capacitance  
www.rohm.com  
2012.01 - Rev.D  
1/3  
c
○ 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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2SC4617TLR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2PC4617R,115 NXP

功能相似

 2PC4617 - NPN general-purpose transistor SC-75 3-Pin
2SC4617EBTLR ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2DC4617R-7-F DIODES

功能相似

 NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与2SC4617TLR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4617TLS ROHM

获取价格

 		General purpose transistor (50V, 0.15A)
2SC4617TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC4617TR/RS ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC4617TRQ ROHM

获取价格

 		150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4618 WEITRON

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 		NPN TRANSISTOR
2SC4618 TYSEMI

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 		Low collector capacitance. Low rbb, high gain, and excellent noise characteristics.
2SC4618 SECOS

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 		NPN General Purpose Transistor
2SC4618 ROHM

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 		High-frequency Amplifier Transistor(25V, 50mA, 300MHz)
2SC4618 KEXIN

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 		NPN Transistors
2SC4618 CJ

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 		SOT-523

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