2SC4617-S

更新时间： 2024-11-14 07:31:03

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管光电二极管
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3页	222K
描述
NPN General Purpose Transistors

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2SC4617-S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	270
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	180 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4617-S 数据手册

M C C

2SC4617-Q

2SC4617-R

2SC4617-S

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

NPN

General Purpose

Transistors

•

Complement to 2SA1774-Q/R/S

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Dissipation

Rating

150

Unit

SOT-523

P_C

T_J

150

-55 to +150

Operating Junction Temperature

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

V_(BR)CEO

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=1mAdc, I_B=0)

Min

Typ

Max

Units

---

Vdc

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=50uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_E=50uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=60Vdc, I_E=0Vdc)

Emitter Cutoff Current

---

Vdc

---

120

---

0.1

560

0.4

---

IAdc

---

I_EBO

---

(V_EB=7Vdc, I_C=0Vdc)

DC Current Gain

h_FE

---

(I_C=1mAdc, V_CE=6Vdc)

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=50mAdc, I_B=5mAdc)

Transition Frequency

(V_CE=12Vdc, I_C=2mAdc, f=100MHz)

Output Capacitance

---

Vdc

DIMENSIONS

f_T

180

2.0

MHz

INCHES

MAX

.067

DIM

MIN

.059

.030

.057

MIN

1.50

0.75

1.45

MAX

1.70

0.85

1.75

NOTE

C_ob

3.5

(V_CB=12Vdc, f=1.0MHz, I_E=0)

.033

.069

Classification OF h^FE

.020 Nominal

0.50Nominal

0.90

Rank

Range

Marking

120-270

.035

.043

.004

.031

.008

.014

1.10

180-390

270-560

.000

.028

.004

.010

.000

.70

.100

0.80

.200

.35

.100

.25

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

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2SC4617-S 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC4617L-AN3-R	UTC	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4617-S-TP-HF	MCC	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor,

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4617S-G	UTC	获取价格	Transistor
2SC4617S-G	WEITRON	获取价格	Transistor
2SC4617SGP	CHENMKO	获取价格	Transistor,
2SC4617SL-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
2SC4617-S-T	MCC	获取价格	Transistor
2SC4617-S-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SC4617T1	UTC	获取价格	NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS
2SC4617T1G	UTC	获取价格	NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS
2SC4617TL	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, EMT3,
2SC4617TL	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, EMT3,

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