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2SC4597M

更新时间: 2024-02-28 21:09:44
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 113K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-252VAR

2SC4597M 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.2其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:40 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):20 MHz最大关闭时间(toff):2800 ns
最大开启时间(吨):500 nsVCEsat-Max:0.8 V
Base Number Matches:1

2SC4597M 数据手册

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