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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 500 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 50 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 18 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 3300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 500 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4600L | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SC4600M | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SC4600N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SC4601 | SANYO |
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Switching Regulator Applications |
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| 2SC4601 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
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| 2SC4601 | TYSEMI |
获取价格 |
Surface mount type device making the following possible. Adoption of MBIT process. |
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| 2SC4601K | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SC4601L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SC4601M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SC4602 | SANYO |
获取价格 |
Switching Regulator Applications |
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