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2SC4602

更新时间： 2024-02-25 13:29:30

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	49K
描述
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

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2SC4602 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4602 数据手册

SMD Type

Transistors

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

2SC4602

TO-263

Unit: mm

Features

Surface mount type device making the following possible.

Reduction in the number of manufacturing processes

for 2SC4602-applied equipment.

+0.2

4.57

-0.2

+0.1

1.27

-0.1

High density surface mount applications.

Small size of 2SC4602-applied equipment.

High breakdown voltage, high reliability.

Fast switching speed.

+0.1

1.27

-0.1

0.1max

+0.1

0.81

-0.1

Wide ASO.

2.54

Adoption of MBIT process.

1,Base

+0.2

2.54

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

0.4

-0.2

2,Collector

3,Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

1100

800

Unit

Collector current ( DC)

Collector current (Pulse) *

Base current

I^CP

I^B

1.5

1.65

Collector power dissipation Ta = 25

T^C= 25

P^C

Junction temperature

T^j

150

Storage temperature range

Tstg

-55 to +150

* PW 300ms, duty cycle 10%

www.kexin.com.cn

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