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2SC4606S

更新时间： 2024-02-17 18:11:49

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其他 - ETC		晶体晶体管放大器
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TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-71

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2SC4606S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	185
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4606S 数据手册

Transistor

2SC4606

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency driver amplification

Complementary to 2SA1762

Unit: mm

6.9±0.1

2.5±0.1

1.5

1.5 R0.9

1.0

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

■

R0.9

●

Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30W

output amplifier.

R0.7

●

M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

0.85

0.55±0.1

0.45±0.05

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

2.5

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–71

M Type Mold Package

I_C

0.5

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

V_CB= 20V, I_E= 0

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

0.1

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= 10µA, I_E= 0

I_C= 100µA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= 10V, I_C= 150mA^*2

V_CE= 5V, I_C= 500mA^*2

I_C= 300mA, I_B= 30mA^*2

130

330

Forward current transfer ratio

100

0.2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

0.4

1.2

0.85

120

Transition frequency

f_T

V_CB= 10V, I_E= –50mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

130 ~ 220

185 ~ 330

12 3 4

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与2SC4606S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC460A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92
2SC460-A	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC460ARF	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC460ARF	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC460ARR	RENESAS	获取价格	100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(2), 3 PIN
2SC460ARR	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC460B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92
2SC460-B	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC460BRF	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SC460BRF	RENESAS	获取价格	100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(2), 3 PIN

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