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2SC4612R

更新时间: 2024-01-03 03:52:55
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 136K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SPAK

2SC4612R 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.34最大集电极电流 (IC):0.7 A
集电极-发射极最大电压:160 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):120 MHz
Base Number Matches:1

2SC4612R 数据手册

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