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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.44 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 500 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 18 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC4599L | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SC4599M | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SC4599N | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SC460 | HITACHI | Silicon NPN Epitaxial Planar |
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| 2SC460 | RENESAS | Silicon NPN Epitaxial Planar |
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| 2SC460|2SC461 | ETC |
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