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2SC4599N

更新时间: 2024-02-16 03:15:05
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 117K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252VAR

2SC4599N 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.44
其他特性:HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:500 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:40 W
最大功率耗散 (Abs):40 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):18 MHz

2SC4599N 数据手册

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