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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4212 | PANASONIC |
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Silicon NPN triple diffusion planar type |
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| 2SC4213 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC4213 | TYSEMI |
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High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min). High DC current gain: hFE = 200 1200. |
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| 2SC4213 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (FOR MUTING AND SWITCHIG APPLICATIONS) |
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| 2SC4213_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications |
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| 2SC4213A | TOSHIBA |
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For Muting and Switching Applications |
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| 2SC4213-A | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP |
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| 2SC4213-A(T5LUPTLF | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4213-A(TE85L) | TOSHIBA |
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2SC4213-A(TE85L) |
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| 2SC4213-A(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,300MA I(C),SC-70 |
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