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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SUPER MINIMOLD, SC-70, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4186T62 | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-323 |
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| 2SC4186-T62 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4186T63 | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-323 |
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| 2SC4186-T63 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4186T64 | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-323 |
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| 2SC4186-T64 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4187 | NEC |
获取价格 |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
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| 2SC4187R6A | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 8V V(BR)CEO | 5MA I(C) | SOT-323 |
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| 2SC4187-R6A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.005A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| 2SC4187R6B | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 8V V(BR)CEO | 5MA I(C) | SOT-323 |
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