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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC4186T64
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2SC4186T64

更新时间： 2024-11-19 23:20:19
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 49K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-323

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2SC4186T64 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SUPER MINIMOLD, SC-70, 3 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.64
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.03 A
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4000 MHzBase Number Matches：1

2SC4186T64 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC4186  
UHF OSCILLATOR AND UHF MIXER  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
MINI MOLD  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
The 2SC4186 is an NPN silicon epitaxial transistor intended for use  
as a UHF oscillator and a mixer in a tuner of a TV receiver. The device  
features stable oscillation and small frequency drift against any change  
of the supply voltage and the ambient temperature.  
in millimeters  
2.1 ± 0.1  
1.25 ± 0.1  
It is designed for use in small type equipments especially recom-  
mended for Hybrid Integrated Circuit and other applications.  
2
3
1
FEATURES  
•
•
•
High Gain Bandwidth Product  
Low Collector to Base Time Constant: CC · rb’b = 4.0 ps TYP.  
Low Output Capacitance : Cob = 1.5 pF MAX.  
: fT = 4.0 GHz.  
Marking  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
VCB0  
VCE0  
VEB0  
IC  
PT  
Tj  
25  
12  
3.0  
30  
160  
V
V
V
mA  
mW  
˚C  
PIN CONNECTIONS  
1. Emitter  
2. Base  
150  
Tstg  
–65 to +150  
˚C  
3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)  
Characteristics  
Collector Cutoff Current  
DC Current Gain  
Symbol  
ICB0  
MIN.  
40  
TYP.  
MAX.  
Unit  
Test Conditions  
0.1  
200  
0.5  
µA  
VCB = 15 V, IE = 0  
hFE  
100  
0.09  
4.0  
VCE = 10 V, IC = 5 mA  
Collector Saturation Voltage  
Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
VCE(sat)  
fT  
V
GHz  
pF  
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA  
2.5  
VCE = 10 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
Cob  
1.0  
1.8  
5.0  
Collector to Base Time Constant  
Cc · rb’b  
ps  
V
CE = 10 V, I  
E
= –5 mA, f = 31.9 MHz  
hFE Classifications  
Rank  
Marking  
hFE  
T62  
T62  
T63  
T64  
T64  
T63  
40 to 80  
60 to 120  
100 to 200  
Document No. P11191EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published February 1996 P  
Printed in Japan  
1996  
©
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4186-T64 NEC

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