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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220AB, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.82 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4188C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-220AB |
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| 2SC4188C-CB | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SC4188C-RA | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SC4188C-RC | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SC4188D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-220AB |
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| 2SC4188D-RA | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SC4188D-RB | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SC4188E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-220AB |
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| 2SC4188E-RC | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SC4188F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-220AB |
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