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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2SC4081-A-T
2SC4081-A-T PDF预览

2SC4081-A-T

更新时间： 2024-09-13 13:04:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 234K
描述
Transistor

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2SC4081-A-T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

2SC4081-A-T 数据手册

 浏览型号2SC4081-A-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4081-A-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC4081-A-T的Datasheet PDF文件第4页 
2SC4081-A  
2SC4081-B  
2SC4081-C  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
NPN Silicon  
Epitaxial Transistors  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Low Cob . Cob=2.0pF(Typ)  
·
·
·
·
Complementary to 2SC1576A  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Maximum Ratings  
SOT-323  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
50  
Unit  
V
A
D
60  
V
C
7
V
150  
200  
150  
mA  
mW  
к
C
B
PC  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
TJ  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
к
E
B
F
E
Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
H
G
J
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-60Vdc)  
---  
---  
---  
---  
100  
100  
nAdc  
nAdc  
K
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-6.0Vdc)  
DIMENSIONS  
INCHES  
ON CHARACTERISTICS  
MM  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
hFE  
Collector-base breakdown voltage  
(IC=-50µAdc )  
60  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
---  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.079  
.026 Nominal  
.047  
.012  
.000  
.035  
.004  
.012  
MAX  
.087  
.053  
.087  
MIN  
1.80  
1.15  
2.00  
MAX  
2.20  
1.35  
2.20  
NOTE  
Collector-emitter  
voltage (IC=-1µAdc)  
breakdown  
50  
6
---  
---  
---  
---  
---  
0.65Nominal  
1.20  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
F
.30  
.000  
.90  
.100  
.30  
Emitter-base breakdown voltage  
(IE=-50µAdc)  
G
H
J
K
DC Current Gain  
(IC=-1mAdc, VCE=-6.0Vdc)  
120  
---  
560  
0.4  
3.5  
---  
Suggested Solder  
Pad Layout  
0.70  
VCE(sat)  
Collector Saturation Voltage*  
(IC=-50mAdc, IB=-5.0mAdc)  
---  
Vdc  
pF  
Cob  
Output Capacitance  
(VCB=-12.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
---  
2.0  
0.90  
mm  
fT  
Gain Bandwidth product  
(VCE=-12Vdc, IE=2mAdc,f=30MHz)  
---  
180  
MHz  
1.90  
h
FE CLASSIFICATION  
0.65  
Rank  
Marking  
hFE  
A
B
C
0.65  
BQ  
120~270  
BS  
270~560  
BR  
180~390  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: A  
2011/01/01  
1234

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与2SC4081-A-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4081-A-TP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC4081-A-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SC4081-B MCC

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 		NPN Silicon Epitaxial Transistors
2SC4081BR MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
2SC4081BS MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
2SC4081-B-T MCC

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