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2SC4081-B-TP-HF

更新时间： 2024-10-30 21:00:39

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	297K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SC4081-B-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4081-B-TP-HF 数据手册

2SC4081-A

2SC4081-B

2SC4081-C

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

NPN Silicon

Epitaxial Transistors

RoHS Compliant. See ordering information)

Low Cob . Cob=2.0pF(Typ)

Complementary to 2SC1576A

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Maximum Ratings

SOT-323

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

150

200

150

P_C

Collector power dissipation

Junction Temperature

T_J

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

I_CBO

Collector Cutoff Current

(V_CB=-60Vdc)

---

100

nAdc

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=-6.0Vdc)

DIMENSIONS

INCHES

ON CHARACTERISTICS

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

h_FE

Collector-base breakdown voltage

(I_C=-50µAdc )

---

Vdc

---

DIM

MIN

.071

.045

.083

.026 Nominal

.047

.012

.000

.035

.004

.006

MAX

.087

.053

.096

MIN

1.80

1.15

2.10

MAX

2.20

1.35

2.45

NOTE

Collector-emitter

voltage (I_C=-1µAdc)

breakdown

---

0.65Nominal

1.20

.055

.016

.004

.039

.010

.016

1.40

.40

.100

1.00

.250

.40

.30

.000

.90

.100

.15

Emitter-base breakdown voltage

(I_E=-50µAdc)

DC Current Gain

(I_C=-1mAdc, V_CE=-6.0Vdc)

120

---

560

0.4

3.5

---

Suggested Solder

Pad Layout

0.70

V_CE(sat)

Collector Saturation Voltage*

(I_C=-50mAdc, I_B=-5.0mAdc)

---

Vdc

C_ob

Output Capacitance

(V_CB=-12.0Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

---

2.0

0.90

f_T

Gain Bandwidth product

(V_CE=-12Vdc, I_E=2mAdc,f=30MHz)

---

180

MHz

1.90

^FECLASSIFICATION

0.65

Rank

Marking

h_FE

0.65

120~270

270~560

180~390

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: C

2013/09/24

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4081-C	MCC	获取价格	NPN Silicon Epitaxial Transistors
2SC4081-C-T	MCC	获取价格	Transistor
2SC4081-C-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC4081-C-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SC4081F	SECOS	获取价格	NPN Silicon General Purpose Transistor
2SC4081F_11	SECOS	获取价格	NPN Plastic-Encapsulate Transistor
2SC4081FRAT106Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SC4081LN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23VAR
2SC4081LNE	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23VAR
2SC4081LNR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23VAR

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