5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC4081RT1G
2SC4081RT1G PDF预览

2SC4081RT1G

更新时间： 2024-09-15 06:23:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 44K
描述
General Purpose Amplifier Transistor NPN Surface Mount

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SC4081RT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SC-70包装说明：LEAD FREE, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.18Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SC4081RT1G 数据手册

 浏览型号2SC4081RT1G的Datasheet PDF文件第2页 
2SC4081RT1  
General Purpose  
Amplifier Transistor  
NPN Surface Mount  
http://onsemi.com  
Features  
• Moisture Sensitivity Level: 1  
• Pb−Free Package is Available  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Collector−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
V
V
50  
Vdc  
1
2
BASE  
EMITTER  
7.0  
Vdc  
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
100  
200  
mAdc  
mAdc  
C
I
C(P)  
3
SC−70  
CASE 419  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
mW  
°C  
1
2
Power Dissipation  
P
D
Junction Temperature  
T
150  
J
Storage Temperature  
T
stg  
−55 to +150  
°C  
MARKING DIAGRAM  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
81 M G  
G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
1
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
V
50  
−
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 2.0 mAdc, I = 0)  
C
B
81  
M
= Device Code  
= Date Code*  
Collector−Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
V
V
60  
7.0  
−
−
−
Vdc  
Vdc  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
C
E
Emitter−Base Breakdown Voltage  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
E
C
Collector−Base Cutoff Current  
(V = 60 Vdc, I = 0)  
I
I
0.1  
mAdc  
CBO  
CB  
E
ORDERING INFORMATION  
Collector−Emitter Cutoff Current  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
CEO  
−
−
−
0.1  
2.0  
1.0  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
CE  
B
†
Device*  
Package  
Shipping  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
CE  
B
(V = 30 Vdc, I = 0, T = 80°C)  
CE  
B
A
2SC4081RT1  
SC−70  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
DC Current Gain (Note 1)  
(V = 6.0 Vdc, I = 2.0 mAdc)  
h
−
FE  
2SC4081RT1G  
SC−70  
180  
−
390  
0.5  
CE  
C
(Pb−Free)  
Collector−Emitter Saturation Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 10 mAdc)  
V
Vdc  
CE(sat)  
*The “T1” suffix refers to a 7 inch reel.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
C
B
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, D.C. ≤ 2%.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
May, 2006 − Rev. 4  
2SC4081RT1/D  
 
12

中文翻译

下载PDF

2SC4081RT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC4081RT1 ONSEMI

完全替代

 General Purpose Amplifier Transistor NPN Surface Mount

与2SC4081RT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4081S ROHM

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SC-70
2SC4081S WEITRON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SC4081-S YANGJIE

获取价格

 		SOT-323
2SC4081SP MCC

获取价格

 		暂无描述
2SC4081-T MCC

获取价格

 		Transistor
2SC4081T106 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, UMT3,
2SC4081T106/Q ROHM

获取价格

 		150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UMT3, SC-70, 3 PIN
2SC4081T106/QR ROHM

获取价格

 		150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4081T106/QS ROHM

获取价格

 		150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4081T106/R ROHM

获取价格

 		150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UMT3, SC-70, 3 PIN

与2SC4081RT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证