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2SC3940AS

更新时间： 2024-02-14 07:24:23

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其他 - ETC		晶体晶体管
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4页	60K
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TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92VAR

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2SC3940AS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	170	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3940AS 数据手册

Transistor

2SC3940, 2SC3940A

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency output amplification and driver amplification

Complementary to 2SA1534 and 2SA1534A

Unit: mm

5.0±0.2

4.0±0.2

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Allowing supply with the radial taping.

0.7±0.1

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

2SC3940

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

V_CBO

base voltage

Collector to

2SC3940A

2SC3940

0.45⁺^–0⁰^.^.¹¹⁵

1.27

0.45⁺^–0⁰^.^.¹¹⁵

1.27

V_CEO

2SC3940A

emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

1:Emitter

2:Collector

3:Base

2 3

1.5

2.54±0.15

TO–92NL Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

V_CB= 20V, I_E= 0

0.1

µA

Collector to base

voltage

2SC3940

2SC3940A

V_CBO

I_C= 10µA, I_E= 0

Collector to emitter 2SC3940

V_CEO

V_EBO

I_C= 2mA, I_B= 0

voltage

2SC3940A

Emitter to base voltage

I_E= 10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= 10V, I_C= 500mA^*2

V_CE= 5V, I_B= 1A^*2

340

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 500mA, I_B= 50mA^*2

I_B= 500mA, I_a= 50mA^*2

V_CB= 10V, I_E= –50mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

0.2

0.85

200

0.4

1.2

Transition frequency

f_T

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

85 ~ 170

120 ~ 240

170 ~ 340

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3940ASA	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, RO
2SC3940Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92VAR
2SC3940R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92VAR
2SC3940S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, RO
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