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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC3943
2SC3943 PDF预览

2SC3943

更新时间： 2024-01-10 09:46:08
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体视频放大器晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 45K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type(For video amplifier)

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2SC3943 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.81
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：350 MHz
Base Number Matches：1

2SC3943 数据手册

 浏览型号2SC3943的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SC3943  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For video amplifier  
Unit: mm  
10.0±0.2  
5.5±0.2  
4.2±0.2  
2.7±0.2  
Features  
Small transition frequency fT  
■
●
φ3.1±0.1  
●
Small collector output capacitance Cob  
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
1.3±0.2  
1.4±0.1  
+0.2  
–0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
0.5  
■
C
0.8±0.1  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCER  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
2.54±0.25  
Collector to base voltage  
110  
100  
V
5.08±0.5  
Collector to emitter voltage  
1
2
3
50  
V
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
3.5  
V
300  
mA  
mA  
TO–220 Full Pack Package(a)  
IC  
150  
Collector power TC=25°C  
8
2.0  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICEO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
V
Collector cutoff current  
Collector to base voltage  
VCE = 35V, IB = 0  
10  
VCBO  
VCER  
VCEO  
VEBO  
hFE  
IC = 100µA, IE = 0  
110  
100  
50  
IC = 500µA, RBE = 470Ω  
IC = 1mA, IB = 0  
V
Collector to emitter voltage  
V
Emitter to base voltage  
IE = 100µA, IC = 0  
3.5  
20  
V
Forward current transfer ratio  
VCE = 5V, IC = 100mA  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 150mA, IB = 15mA  
VCE = 10V, IC = 10mA, f = 10MHz  
VCE = 10V, IC = 110mA, f = 10MHz  
VCB = 30V, IE = 0, f = 1MHz  
0.5  
V
fT1  
300  
350  
3.5  
MHz  
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT2  
Collector output capacitance  
Cob  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3944 PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planar type(For low-frequency driver and high power amplification)
2SC3944 ISC

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 		Silicon NPN Power Transistors
2SC3944 SAVANTIC

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2SC3944/2SC3944A ETC

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