2SC3943

更新时间： 2024-11-10 22:39:59

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松下 - PANASONIC		晶体视频放大器晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
Silicon NPN epitaxial planar type(For video amplifier)

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2SC3943 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	350 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3943 数据手册

Power Transistors

2SC3943

Silicon NPN epitaxial planar type

For video amplifier

Unit: mm

10.0±0.2

5.5±0.2

4.2±0.2

2.7±0.2

Features

Small transition frequency f_T

■

●

φ3.1±0.1

●

Small collector output capacitance C_ob

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

1.3±0.2

1.4±0.1

+0.2

–0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

0.5

■

0.8±0.1

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CER

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

2.54±0.25

Collector to base voltage

110

100

5.08±0.5

Collector to emitter voltage

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

3.5

300

TO–220 Full Pack Package(a)

I_C

150

Collector power T_C=25°C

2.0

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CEO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to base voltage

V_CE= 35V, I_B= 0

V_CBO

V_CER

V_CEO

V_EBO

h_FE

I_C= 100µA, I_E= 0

110

100

I_C= 500µA, R_BE= 470Ω

I_C= 1mA, I_B= 0

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

I_E= 100µA, I_C= 0

3.5

Forward current transfer ratio

V_CE= 5V, I_C= 100mA

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 150mA, I_B= 15mA

V_CE= 10V, I_C= 10mA, f = 10MHz

V_CE= 10V, I_C= 110mA, f = 10MHz

V_CB= 30V, I_E= 0, f = 1MHz

0.5

f_T1

300

350

3.5

MHz

Transition frequency

f_T2

Collector output capacitance

C_ob

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