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2SC3940ASA

更新时间： 2024-09-23 21:22:23
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 244K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, TO-92NL-A1, 3 PIN

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2SC3940ASA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.82最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：170JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

2SC3940ASA 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors  
2SC3940, 2SC3940A  
Silicon NPN epitaxial planar type  
Unit: mm  
4.0 0.2  
5.0 0.2  
For low-frequency output amplification and driver amplification  
Complementary to 2SA1534, 2SA1534A  
■ Features  
0.7 0.1  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• Allowing supply with the radial taping  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
+0.15  
0.45  
+0.2  
2SC3940  
2SC3940A  
2SC3940  
2SC3
VCBO  
V
–0.1  
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
0.45  
–0.1  
(1.27)  
(1.27)  
VCEO  
25  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
1: Emitter  
2: Collector  
3: Base  
1
2 3  
50  
2.54 0.15  
Emitter-base voltage (Cllector ) EBO  
5
V
A
TO-92NL-A1 Package  
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
1
Peak collector curret  
Collector power diipation  
Junction temperaure  
Storage tempture  
15  
A
1
W
°C  
°C  
150  
55 to +150  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Paramete
Symbol  
Condtions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
2SC940  
2SC3940A  
2SC3940  
2SC30A  
VCBO  
IC = 10 µA, IE = 0  
0  
60  
25  
50  
5
V
Collector-tage  
(Emitte
VCEO  
IC = 2 mA, IB = 0  
V
Collector-e  
(Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
VEBO  
ICBO  
IE = 10 µA, IC = 0  
V
µA  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
VCB = 20 V, IE = 0  
VCE = 10 V, IC = 500 mA  
VCE = 5 V, IC = 1 A  
0.1  
1
2
Forward current transfer ratio *  
hFE1  
hFE2  
85  
50  
340  
*
1
Collector-emitter saturation voltage*  
VCE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA  
VBE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA  
0.2  
0.85  
200  
11  
0.4  
V
1
Base-emitter saturation voltage*  
1.20  
V
Transition frequency  
fT  
VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
20  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Rank  
Q
R
S
hFE1  
85 to 170  
120 to 240  
170 to 340  
Publication date: March 2003  
SJC00150BED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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