2SC3929

更新时间： 2024-01-26 17:08:19

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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)

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2SC3929 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.83
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	350 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3929 数据手册

Transistor

2SC3929, 2SC3929A

NV — V_CE

NV — I_C

300

160

140

120

100

300

V_CE=10V

G_V=80dB

Function=RIAA

V_CE=10V

G_V=80dB

Function=FLAT

R_g=100kΩ

240

180

120

240

180

120

I_C=1mA

G_V=80dB

Function=RIAA

R_g=100kΩ

22kΩ

4.7kΩ

0.01

100

0.03

0.1

0.3

0.03

0.1

0.3

( )

(

)

(

)

Collector to emitter voltage V_CE

Collector current I_CmA

NV — R_g

160

300

240

180

120

V_CE=10V

G_V=80dB

Function=RIAA

V_CE=10V

G_V=80dB

Function=FLAT

140

120

100

I_C=1mA

0.5mA

0.1mA

100

(

)

(

)

Signal source resistance R_gkΩ

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