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2SC3929G-T

更新时间： 2024-11-21 21:17:15

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	296K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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2SC3929G-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.83
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	360	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3929G-T 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SC3929G

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-frequency output amplification

Complementary to 2SA1531G

■ Features

• Low noise voltage NV

■ Package

• Code

• High forward current transfer ratio h_FE

• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing

SMini3-F2

• Marking Symbol: T

• Pin Name

1. Base

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

2. Emitter

Parameter

Symbol

Rating

Unit

3. Collector

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

°C

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

V_BE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Base-emitter voltage

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

V_CB= 10 V, I_E= 0

V_CE= 10 V, I_B= 0

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

0.7

1.0

0.1

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_CBO

µA



I_CEO

h_FE

180

700

0.6

V_CE(sat)I_C= 100 mA, I_B= 10 mA

f_TV_CB= 5 V, I_E= −2 mA, f = 200 MHz

100

MHz

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

180 to 360

260 to 520

360 to 700

Marking symbol

Publication date: April 2007

SJC00356AED

12 3 4 5

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与2SC3929G-T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3929H	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC3929R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-70
2SC3929S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-70
2SC3929T	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-70
2SC3929TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC3930	KEXIN	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar
2SC3930	SECOS	获取价格	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
2SC3930	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR (NPN)
2SC3930	TYSEMI	获取价格	Optimum for RF amplification of FM/AM radios. High transition frequency fT.
2SC3930	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)

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