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2SC3929AR

更新时间： 2024-02-29 11:01:59
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 55V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-70

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2SC3929AR 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.83
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：35 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：350 MHz
Base Number Matches：1

2SC3929AR 数据手册

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Transistor  
2SC3929, 2SC3929A  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For low-frequency output amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SA1531 and 2SA1531A  
Features  
Low noise voltage NV.  
■
2.1±0.1  
●
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
●
High foward current transfer ratio hFE  
.
●
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
1
3
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
2
Parameter  
2SC3929  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector to  
35  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
2SC3929A  
2SC3929  
55  
35  
VCEO  
V
2SC3929A  
emitter voltage  
55  
0.2±0.1  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
VEBO  
ICP  
IC  
5
100  
V
mA  
mA  
mW  
˚C  
1:Base  
2:Emitter  
3:Collector  
50  
EIAJ:SC–70  
S–Mini Type Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
150  
Tj  
150  
(2SC3929)  
Marking symbol : S  
(2SC3929A)  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
T
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
100  
1
Unit  
nA  
VCB = 10V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = 10V, IB = 0  
µA  
Collector to base  
voltage  
2SC3929  
2SC3929A  
35  
55  
35  
55  
5
VCBO  
IC = 10µA, IE = 0  
V
Collector to emitter 2SC3929  
VCEO  
VEBO  
IC = 2mA, IB = 0  
V
V
voltage  
2SC3929A  
Emitter to base voltage  
IE = 10µA, IC = 0  
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = 5V, IC = 2mA  
IC = 100mA, IB = 10mA  
180  
700  
0.6  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
V
V
Base to emitter voltage  
VBE  
NV  
fT  
V
CE = 1V, IC = 100mA  
0.7  
1
VCE = 10V, IC = 1mA, GV = 80dB  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
VCB = 5V, IE = –2mA, f = 200MHz  
Noise voltage  
150  
mV  
Transition frequency  
80  
MHz  
*1  
h
Rank classification  
FE1  
Rank  
hFE  
R
S
T
180 ~ 360  
SR  
260 ~ 520  
SS  
360 ~ 700  
ST  
2SC3929  
Marking  
Symbol  
2SC3929A  
TR  
TS  
TT  
1
1234

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